アンダードープしたBi-2212 単結晶の遮蔽電流分布


                                            Distribution of Sheilding Current in Underdoped Bi-2212 Single Crystal

                                              九工大・情報工   ffi松下照男、小田部荘司、山浦俊介

                                              東大・工*    中山有理*、下山淳一*、岸尾光二*

                                              Kyushu Inst. of Tech.;   T. Matsushita, E. S. Oatbe, S. Yamaura

                                              Univ. of Tokyo;   Y. Nakayama, J. Shimoyama, K. Kishio

                                              matusita@cse.kyutech.ac.jp

     アンダードープしたBi-2212 単結晶では不可逆磁界以下の磁界において磁束線系の1

次相転移が報告されているが、相転移磁界以上の磁界における不可逆性が試料の表面ピンニ

ングによる可能性が指摘されている。ここではそのようなアンダードープしたBi-2212 単

結晶についてCampbell 法を用いて試料内の遮蔽電流分布を調べた。まず試料のc 軸方向に

直流磁界を加え、これに垂直に、したがってa-b 面内に微小交流磁界を重畳し、交流磁束の

出入りを観測した。こうして得られた25 K、20 mT における磁束プロファイル(交流磁界

の侵入深さ0- 交流磁界振幅b0) をFig. 1 に示す。これによればb0 が小さい極限では0は

ある一定値(00) を取るが、b0 が増加するにつれて線形に増加し、やがて試料の中心に到達

して一定値となる。このようにBean モデルによる臨界状態が成立しており、表面電流によ

る遮蔽効果は見られない。もし表面不可逆性があれば直線部分を0がゼロになるまで外挿

したときに正のb0 の切片が残るはずである。この傾向はさらに高温の不可逆曲線の近傍で

も続き、今回の試料では表面不可逆性は観測されなかった。詳細については当日発表する。

Fig. 1. Flux profile at 25 K and 20 mT using the Campbell method.